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      三安光電已可組成RGB全綵Micro LED顯示器
      2020-10-30 15:36:00

      在2018國際顯示技術會議(ICDT 2018)上,臺灣地區廠商錼創 (Playnitride)展出Micro LED顯示器,共分白光、綠色以及全綵3種色彩顯示。


      其中0.89’’顯示器應用於手錶上,ppi約爲169,並使用藍色LED芯片+Phosphor色彩化方案。另外還有0.8’’顯示器, ppi提高至230,搭配綠色LED芯片的單色方案。最後還展出全綵0.89’’顯示器,使用RGB LED的芯片組合,約103 ppi。錼創期望未來持續提升技術,以朝向Micro LED顯示器商業化的路邁進。


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      另對於背板驅動專精的廠商和蓮光電(Jasper Display),展出以Silicon爲背板的Micro LED顯示器,目前顯示技術已發展至0.7’’,顯示尺寸可達4K分辨率,雖爲單色顯示但Pixel Size卻能達到3.74μm,具備高顯示效果。


      和蓮光電


      另對於背板驅動專精的廠商和蓮光電(Jasper Display),展出以Silicon爲背板的Micro LED顯示器,目前顯示技術已發展至0.7’’,顯示尺寸可達4K分辨率,雖爲單色顯示但Pixel Size卻能達到3.74μm,具備高顯示效果。


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      Leti公司


      Leti公司的Francois Templier提到,Micro LED應用在AR VR等穿戴使用的顯示器上,需滿足高分辨率與顯示面積小的高需求,因此LED芯片尺寸以及LED Pitch上將微縮。傳統Flip Chip Bumping極限約在15μm,若是在Wafer上,分別在GaN Array上製作Micro Tube,在與基板bonding時,Micro Tube將直接插入接觸所對應的連接Pad,無需如錫球Bonding時,LED間距需預留距離避免金屬溢流短路,因此Micro Tube的應用將縮短LED bonding pitch。目前Leti已將此技術應用在單色顯示器上,Pixel Pitch約10μm,分辨率873 x 500 Pixels。


      三安光電


      三安光電徐宸科副總指出Micro LED相較於其他顯示方式如LCD、LCOS、DLP、OLED,都有較高的評價,其中對比應用較廣的OLED顯示應用,Micro LED在亮度及信賴性上都更勝一籌外,又可以搭配軟性基板達成可彎曲的特性,因此三安光電看好Micro LED發展後勢且積極發展。


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      目前三安光電已可組成RGB全綵Micro LED顯示器,其中RGB芯片的外部量子效率(EQE)預估依序爲18%、30%、60%,未來仍持續提升。另徐宸科副總提到三安光電也可依客戶的需求提供芯片轉移、Bonding等方案,並搭配水平或垂直式電極LED芯片等技術服務。其中水平式電極的Flip Chip的芯片尺寸約可達30~100μm,垂直式電極芯片約可達10~100μm。


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      劉紀美教授指出Micro LED未來隨着LED芯片越來越小,除了轉移上的技術外,在LED的芯片製造質量上也需要穩定與成熟,才能提高產能,降低生產成本。在電路設計上,將以穩定的集成電路設計爲主,方能尋找到適合Micro LED驅動的方案。


      目前劉紀美教授研發的Micro Display小可達0.19’’,1700 ppi,爲單色顯示方案。LED微型化量子點的應用將不會缺席,因此劉教授的團隊也運用了量子點的技術達成全綵化,目前是採用噴墨印刷的方式將RGB 量子點均勻塗布於Micro Display上,顯示器約3.6mm(L) x 3.6mm(W),分辨率約40 x 40 pixels。


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      上海大學的楊緒勇教授指出,QD應用在LED上的發展目前受限於價格以及壽命。而QD的材料價格不便宜,因此相關的應用易轉嫁到消費者身上,從而降低市場競爭力。此外,壽命約在100~1000小時不等,因此楊緒勇教授嘗試在QD加入了金屬氧化物薄膜,以增加QD的穩定性進而增加其壽命。改善後測試,壽命可達16000小時(@100 nits),將有助於未來QD應用在LED上更邁進一步。

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